Дарлингтона транзисторы, PNP кремний

Дарлингтона транзисторы, PNP кремний

Артикул: C232606 Part Number: MMBTA63LT1G Производитель: onsemi
от 0.051400 ₽ В наличии: 480 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
10 шт. 0.084500 ₽
100 шт. 0.070300 ₽
300 шт. 0.063100 ₽
3000 шт. 0.057800 ₽
6000 шт. 0.053500 ₽
9000 шт. 0.051400 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип PNP
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 30V
Ток коллектора (Ic) 500mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 225mW
Рабочая температура -55℃~+150℃@(Tj)
Коэффициент усиления по постоянному току 5000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.5V
Ток отсечки коллектора 100nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 10V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) -
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 2V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 125MHz

Описание

30V 5000 500mA PNP SOT-23 одиночные биполярные транзисторы RoHS