onsemi MUN5215T1G
Артикул: C232567
Part Number: MUN5215T1G
Производитель: onsemi
от 0.018800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.019800 ₽ |
| 100 шт. | 0.019400 ₽ |
| 300 шт. | 0.019100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.018800 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 202mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 350 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 6V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.7V@10mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5.0V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 200mV |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 350 100mA 202mW NPN 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) SOT-323(SC-70) одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS