Транзистор предварительное смещение NPN 50V SC-59

Транзистор предварительное смещение NPN 50V SC-59

Артикул: C232566 Part Number: MUN2213T1G Производитель: onsemi
от 0.267900 ₽ В наличии: 15 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.426400 ₽
50 шт. 0.358800 ₽
150 шт. 0.329800 ₽
500 шт. 0.293700 ₽
3000 шт. 0.277600 ₽
6000 шт. 0.267900 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Количество 1 NPN (Pre-Biased)
Ток коллектора (Ic) 100mA
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Рассеиваемая мощность (Pd) 230mW
Коэффициент усиления по постоянному току 80
Рабочая температура -55℃~+150℃
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 3V@2mA,0.3V
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 800mV@100uA,5V
Выходное напряжение (VO(on)) 200mV
Входной резистор 47kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов 1
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 250mV
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -
Ток отсечки коллектора 100nA

Описание

Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 NPN со встроенными резисторами смещения транзистор 50V 100mA 230mW поверхностный монтаж SC-59