SICFET 650V 115A TO-263-7
Артикул: C22955220
Part Number: IMBG65R015M2HXTMA1
Производитель: Infineon
от 15.436600 ₽
В наличии: 15 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 19.561800 ₽ |
| 10 шт. | 18.588900 ₽ |
| 30 шт. | 16.905500 ₽ |
| 100 шт. | 15.436600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 115A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 416W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 18mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 79nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.792nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 16pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 269pF |
Описание
650V 115A 416W TO-263-7