1200V N-канальный кремний карбид мощность MOSFET
Артикул: C22470090
Part Number: ADP120N080G2
Производитель: ANHI
от 2.132400 ₽
В наличии: 2 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.444200 ₽ |
| 10 шт. | 2.939800 ₽ |
| 50 шт. | 2.640100 ₽ |
| 100 шт. | 2.335500 ₽ |
| 500 шт. | 2.196300 ₽ |
| 1000 шт. | 2.132400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 35A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 188W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 100mΩ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Заряд затвора (Qg) | 58nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.377nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 62pF |
Описание
1.2kV 35A 4V 188W 100mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-220 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)