Дарлингтона транзистор средний мощность линейный импульсный применения

Дарлингтона транзистор средний мощность линейный импульсный применения

Артикул: C22467095 Part Number: MJD122 Производитель: YONGYUTAI
от 0.063200 ₽ В наличии: 13940 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.118100 ₽
50 шт. 0.094500 ₽
150 шт. 0.082700 ₽
500 шт. 0.073800 ₽
2500 шт. 0.066700 ₽
5000 шт. 0.063200 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 100V
Рассеиваемая мощность (Pd) 1.75W
Ток коллектора (Ic) 3A
Рабочая температура -
Коэффициент усиления по постоянному току 1000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2V@3A,12mA
Ток отсечки коллектора 200uA
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) -
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 2.5V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

100V 1000 3A NPN TO-252 одиночные биполярные транзисторы RoHS