1200V SiC MOSFET

1200V SiC MOSFET

Артикул: C22466830 Part Number: SP35N120CTF Производитель: Siliup
от 4.733500 ₽ В наличии: 80 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 6.870700 ₽
10 шт. 5.920800 ₽
30 шт. 5.219500 ₽
90 шт. 4.733500 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 1.2kV
Непрерывный ток стока (Id) 65A
Рассеиваемая мощность (Pd) 327W
Рабочая температура -55℃~+175℃
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 60mΩ
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 4V
Заряд затвора (Qg) 124nC
Входная ёмкость (Ciss) 2.56nF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 8pF
Выходная ёмкость (Coss) 121pF

Описание

1.2kV 65A 4V 327W 60mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-3L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)