Транзистор предварительное смещение NPN SOT-363
Артикул: C22461935
Part Number: HUMH9NTN
Производитель: HXY MOSFET
от 0.032000 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.058500 ₽ |
| 100 шт. | 0.047100 ₽ |
| 300 шт. | 0.041400 ₽ |
| 3000 шт. | 0.037200 ₽ |
| 6000 шт. | 0.033800 ₽ |
| 9000 шт. | 0.032000 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 2 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 68 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.2V@1mA,300mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 300mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 13kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 5.7 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 2 NPN со встроенными резисторами смещения транзистор 100mA 150mW поверхностный монтаж SOT-363