Транзистор предварительное смещение NPN SOT-723

Транзистор предварительное смещение NPN SOT-723

Артикул: C22461934 Part Number: HDTC144EMT2L Производитель: HXY MOSFET
от 0.018200 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
20 шт. 0.037300 ₽
200 шт. 0.029200 ₽
600 шт. 0.024600 ₽
2000 шт. 0.021900 ₽
8000 шт. 0.019500 ₽
16000 шт. 0.018200 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Количество 1 NPN (Pre-Biased)
Ток коллектора (Ic) 100mA
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO -
Рассеиваемая мощность (Pd) 100mW
Коэффициент усиления по постоянному току 68
Рабочая температура -55℃~+150℃
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 3V@2mA,0.3V
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 500mV@100uA,5V
Выходное напряжение (VO(on)) 300mV@10mA,0.5mA
Входной резистор 47kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов 1
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 250MHz
Ток отсечки коллектора -

Описание

Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 NPN со встроенными резисторами смещения транзистор 100mA 100mW поверхностный монтаж SOT-723