100V 35A GaN полумостовой мощность модуль

100V 35A GaN полумостовой мощность модуль

Артикул: C22453052 Part Number: LMG2100R044RARR Производитель: TI
от 6.231000 ₽ В наличии: 5450 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 8.439200 ₽
10 шт. 7.399100 ₽
30 шт. 6.764000 ₽
100 шт. 6.231000 ₽

Datasheet

Характеристики

Особенности Dead-time control;Built-in bootstrap diode
Напряжение питания 4.75V~5.25V
Конфигурация управления Half-Bridge
Тип нагрузки MOSFET
Количество драйверов 2
Входной логический уровень — высокий 1.87V~2.22V
Ток покоя (Iq) 200uA
Входной логический уровень — низкий 1.48V~1.76V
Задержка распространения tpLH 33ns
Задержка распространения tpHL 50ns

Описание

2 MOSFET VQFN-FCRLF-16(4.5x5.5) драйверы полного моста и полумоста (H-моста) RoHS