GaN обогащение-режим мощность транзистор
Артикул: C22446733
Part Number: CID18N65D
Производитель: Tokmas
от 0.734200 ₽
В наличии: 1176 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.325800 ₽ |
| 10 шт. | 1.089900 ₽ |
| 30 шт. | 0.960400 ₽ |
| 100 шт. | 0.829300 ₽ |
| 500 шт. | 0.763700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.734200 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Технология | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 17A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 113W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 100mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 3.3nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 125pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.5pF |
Описание
650V 17A 1.7V 113W 100mΩ@10V N-канальный DFN-8(8x8) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS