GaN обогащение-режим мощность транзистор
Артикул: C22446732
Part Number: CID10N65F
Производитель: Tokmas
от 0.617400 ₽
В наличии: 183 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.146600 ₽ |
| 10 шт. | 0.940800 ₽ |
| 50 шт. | 0.828100 ₽ |
| 100 шт. | 0.700700 ₽ |
| 500 шт. | 0.643600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.617400 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10A |
| Рабочая температура | -50℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 75W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 160mΩ@6V |
| Заряд затвора (Qg) | 2.3nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 83pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.4pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 27pF |
Описание
650V 10A 1.6V 75W 160mΩ@6V N-канальный TO-220F-3L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS