GaN обогащение-режим мощность транзистор
Артикул: C22446729
Part Number: CID9N65E3
Производитель: Tokmas
от 0.380700 ₽
В наличии: 461 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.538500 ₽ |
| 10 шт. | 0.473400 ₽ |
| 30 шт. | 0.440900 ₽ |
| 100 шт. | 0.408300 ₽ |
| 500 шт. | 0.390400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.380700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4.8A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 39W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 334mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 1.2nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 42pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.3pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 13pF |
Описание
650V 4.8A 1.5V 39W 334mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-252-3L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS