Infineon IMBG120R022M2HXTMA1
Артикул: C22417666
Part Number: IMBG120R022M2HXTMA1
Производитель: Infineon
от 14.178800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 17.444200 ₽ |
| 10 шт. | 16.674300 ₽ |
| 30 шт. | 15.342000 ₽ |
| 100 шт. | 14.178800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 87A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 385W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 21.6mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 71nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.33nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 9pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 100pF |
Описание
1.2kV 87A 5.1V 385W 21.6mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-263-7 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS