Infineon IMBG120R078M2HXTMA1
Артикул: C22417582
Part Number: IMBG120R078M2HXTMA1
Производитель: Infineon
от 6.001400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 6.350400 ₽ |
| 10 шт. | 6.201300 ₽ |
| 30 шт. | 6.101300 ₽ |
| 100 шт. | 6.001400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 29A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 158W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 78.1mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 20.6nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 10.7nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2.4pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 28pF |
Описание
1.2kV 29A 4.2V 158W 78.1mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-263-7 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS