Infineon IGT60R190D1ATMA1
Артикул: C22408564
Part Number: IGT60R190D1ATMA1
Производитель: Infineon
от 8.450100 ₽
В наличии: 6 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 8.909500 ₽ |
| 10 шт. | 8.713100 ₽ |
| 30 шт. | 8.581600 ₽ |
| 100 шт. | 8.450100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 600V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 12A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 52W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 140mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 3.2nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 157pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.36pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 28pF |
Описание
600V 12A 1.2V 52W 140mΩ 1 N-канальный N-канальный HSOF-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS