Полумостовой для мощность MOSFET/IGBT Drive
Артикул: C22398250
Part Number: U3115E
Производитель: UNI-SEMIC
от 0.102400 ₽
В наличии: 1295 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.142300 ₽ |
| 50 шт. | 0.125200 ₽ |
| 150 шт. | 0.118000 ₽ |
| 500 шт. | 0.108800 ₽ |
| 2500 шт. | 0.104800 ₽ |
| 4000 шт. | 0.102400 ₽ |
Характеристики
| Тип нагрузки | MOSFET;IGBT |
| Конфигурация управления | Half-Bridge |
| Время задержки высокого уровня | 150ns |
| Время задержки низкого уровня | 450ns |
| Время спада | 25ns |
| Время нарастания | 50ns |
| Выходной ток высокого уровня (IOH) | 1.2A |
| Напряжение питания | 9V~20V |
| Выходной ток низкого уровня (IOL) | 1A |
| Особенности | Built-in bootstrap diode;Interleaved conduction protection;Dead-time control |
| Ток покоя | 70uA |
| Входной логический уровень — низкий | - |
| Входной логический уровень — высокий | - |
Описание
9V~20V 1A 1.2A SOP-8 драйверы затворов RoHS