NPN резистор-оснащённый транзисторы
Артикул: C22396573
Part Number: PDTC114EU-QX
Производитель: Nexperia
от 0.212800 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.217200 ₽ |
| 50 шт. | 0.215300 ₽ |
| 150 шт. | 0.214000 ₽ |
| 500 шт. | 0.212800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Тип | NPN |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 10V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2.5V@10mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 800mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1.2 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 150mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 230MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 30 100mA 200mW 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) NPN SOT-323 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS