GaN-on-кремний обогащение-режим мощность транзистор
Артикул: C22396445
Part Number: HCG65140DBA
Производитель: HXY MOSFET
от 2.148900 ₽
В наличии: 51 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.356700 ₽ |
| 10 шт. | 2.890900 ₽ |
| 30 шт. | 2.614600 ₽ |
| 100 шт. | 2.335200 ₽ |
| 500 шт. | 2.205700 ₽ |
| 1000 шт. | 2.148900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 17A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 113W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 100mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 3.3nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 125pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 40pF |
Описание
650V 17A 1.7V 113W 100mΩ 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)