Транзистор предварительное смещение NPN 50V SOT-23
Артикул: C22396410
Part Number: HMMUN2233LT1G
Производитель: HXY MOSFET
от 0.011600 ₽
В наличии: 8200 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 20 шт. | 0.022800 ₽ |
| 200 шт. | 0.018000 ₽ |
| 600 шт. | 0.015300 ₽ |
| 3000 шт. | 0.013700 ₽ |
| 9000 шт. | 0.012300 ₽ |
| 21000 шт. | 0.011600 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 200 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 200mV |
| Входной резистор | 4.7kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 NPN со встроенными резисторами смещения транзистор 50V 100mA 200mW поверхностный монтаж SOT-23