N-канальный, ограничение поля VII IGBT, 1200 V, 100 A
Артикул: C22379659
Part Number: FGY100T120SWD
Производитель: onsemi
от 3.063200 ₽
В наличии: 30 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.001300 ₽ |
| 10 шт. | 4.255600 ₽ |
| 30 шт. | 3.812200 ₽ |
| 90 шт. | 3.363800 ₽ |
| 510 шт. | 3.156800 ₽ |
| 990 шт. | 3.063200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 866W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 200A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2V@100A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 284nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.6V@100mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 8.489nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 320pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 41.4pF |
| Время задержки включения Td(on) | 46.4ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 168ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 3.1mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.6mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 152ns |
Описание
866W 200A 1.2kV FS (ограничение поля) TO-247-3LD одиночные IGBT-транзисторы RoHS