1200V 80mΩ Gen2 автомобильный SiC MOSFET
Артикул: C22368197
Part Number: IV2Q12080D7Z
Производитель: InventChip
от 7.415100 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 10.458600 ₽ |
| 10 шт. | 9.023100 ₽ |
| 30 шт. | 8.149100 ₽ |
| 100 шт. | 7.415100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 41A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 104mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 53nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.214nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4.2pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 58.1pF |
Описание
1.2kV 41A 4.5V 250W 104mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-263-7 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)