Кремний карбид мощность MOSFET N-канальный обогащение режим
Артикул: C22365193
Part Number: C3M0016120D
Производитель: FUXINSEMI
от 12.691900 ₽
В наличии: 3 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 15.988000 ₽ |
| 10 шт. | 15.211300 ₽ |
| 30 шт. | 13.865100 ₽ |
| 90 шт. | 12.691900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 115A |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 556W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 22.3mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 207nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 6.085nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 13pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 230pF |
Описание
1.2kV 115A 3.6V 556W 22.3mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)