Кремний карбид мощность MOSFET N-канальный обогащение режим
Артикул: C22365192
Part Number: C2M0045170D
Производитель: FUXINSEMI
от 29.403600 ₽
В наличии: 24 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 30.959100 ₽ |
| 30 шт. | 29.403600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.7kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 72A |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 520W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 70mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 188nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.672nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 6.7pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 171pF |
Описание
1.7kV 72A 4V 520W 70mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)