Кремний карбид мощность MOSFET N-канальный режим обогащения
Артикул: C22365191
Part Number: C2M1000170D
Производитель: FUXINSEMI
от 1.695400 ₽
В наличии: 379 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.752100 ₽ |
| 10 шт. | 2.358500 ₽ |
| 30 шт. | 2.111900 ₽ |
| 90 шт. | 1.858700 ₽ |
| 510 шт. | 1.746000 ₽ |
| 1200 шт. | 1.695400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.7kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 5A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 69W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.4Ω |
| Заряд затвора (Qg) | 22nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 215pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2.2pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 19pF |
Описание
1.7kV 5A 4V 69W 1.4Ω 1 N-канальный N-канальный TO-247-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)