Кремний карбид мощность MOSFET N-канальный обогащение режим
Артикул: C22365188
Part Number: C2M0160120D
Производитель: FUXINSEMI
от 1.692100 ₽
В наличии: 58 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.879500 ₽ |
| 10 шт. | 2.436900 ₽ |
| 30 шт. | 2.159300 ₽ |
| 90 шт. | 1.875100 ₽ |
| 510 шт. | 1.747700 ₽ |
| 1200 шт. | 1.692100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 18A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 125W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 196mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 40nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 606pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 55pF |
Описание
1.2kV 18A 4V 125W 196mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)