Комплементарный дарлингтона кремний мощность транзисторы

Комплементарный дарлингтона кремний мощность транзисторы

Артикул: C223629 Part Number: MJH11020G Производитель: onsemi
от 4.006200 ₽ В наличии: 2 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 5.569700 ₽
10 шт. 4.832600 ₽
30 шт. 4.382700 ₽
100 шт. 4.006200 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 200V
Рассеиваемая мощность (Pd) 150W
Ток коллектора (Ic) 15A
Рабочая температура -65℃~+150℃
Коэффициент усиления по постоянному току 400
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.8V
Ток отсечки коллектора -
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 3.8V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 2.8V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 3MHz

Описание

200V 400 15A NPN TO-247 одиночные биполярные транзисторы RoHS