onsemi NGTB40N65IHL2WG
Артикул: C223583
Part Number: NGTB40N65IHL2WG
Производитель: onsemi
от 1.602400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.626100 ₽ |
| 10 шт. | 2.244300 ₽ |
| 30 шт. | 2.005700 ₽ |
| 100 шт. | 1.761000 ₽ |
| 500 шт. | 1.650200 ₽ |
| 1000 шт. | 1.602400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 135nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.5V |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.2nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 130pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 85pF |
| Время задержки включения Td(on) | - |
| Время задержки выключения Td(off) | 140ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 360uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 465ns |
Описание
300W 80A 650V FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS