onsemi NTMJS0D9N03CGTWG
Артикул: C22311026
Part Number: NTMJS0D9N03CGTWG
Производитель: onsemi
от 1.365500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.598700 ₽ |
| 200 шт. | 1.436400 ₽ |
| 500 шт. | 1.389100 ₽ |
| 1000 шт. | 1.365500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение отсечки затвор–исток (VGS(off)) | 2.2V |
| Напряжение пробоя затвор–исток (Vgss) | 20V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150W |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 0.9mΩ |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Ток стока (Idss) | - |
| Входная ёмкость Ciss | 9.55nF |
| Проходная ёмкость (Crss) | 243pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 4306pF |
| Конфигурация | - |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
Описание
1 N-канальный 150W 0.9mΩ 20V полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) RoHS