VISHAY SI7956DP-T1-GE3
Артикул: C222413
Part Number: SI7956DP-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 3.411800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.548200 ₽ |
| 10 шт. | 3.489700 ₽ |
| 30 шт. | 3.450800 ₽ |
| 100 шт. | 3.411800 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 150V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4.1A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 115mΩ@6V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.5W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Заряд затвора (Qg) | 26nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | - |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | - |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
150V 4.1A 115mΩ@6V 3.5W 4V 2 N-канальный PowerPAK-SO-8 сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS