ST STP18N65M2
Артикул: C222137
Part Number: STP18N65M2
Производитель: ST
от 1.871600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.635200 ₽ |
| 10 шт. | 2.350900 ₽ |
| 30 шт. | 2.172200 ₽ |
| 100 шт. | 1.990200 ₽ |
| 500 шт. | 1.907400 ₽ |
| 1000 шт. | 1.871600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 12A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 110W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 330mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 20nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 770pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.2pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 35pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±25V |
Описание
110W 650V 12A 4V 330mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS