GeneSiC Semiconductor MURT20010R
Артикул: C22169378
Part Number: MURT20010R
Производитель: GeneSiC Semiconductor
от 38.547100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 101.684700 ₽ |
| 200 шт. | 40.572700 ₽ |
| 480 шт. | 39.217200 ₽ |
| 1000 шт. | 38.547100 ₽ |
Характеристики
| Конфигурация диодов | 1 Pair Common Anode |
| Прямое напряжение (Vf при If) | 1V@100A |
| Выпрямленный ток | 200A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Постоянное обратное напряжение (Vr) | 100V |
| Неповторяющийся пиковый прямой импульсный ток | - |
| Обратный ток утечки (Ir) | 25uA |
| Диапазон рабочих температур перехода | -55℃~+150℃ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
1 пара с общим анодом 200A 100V 1V@100A диодные сборки RoHS