Эпитаксиальный планарный NPN транзистор

Эпитаксиальный планарный NPN транзистор

Артикул: C220526 Part Number: KTD2854-AT/P Производитель: KEC
от 0.050300 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.094000 ₽
50 шт. 0.075200 ₽
150 шт. 0.065800 ₽
500 шт. 0.058800 ₽
3000 шт. 0.053100 ₽
6000 шт. 0.050300 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 100V
Рассеиваемая мощность (Pd) 1W
Ток коллектора (Ic) 2A
Рабочая температура -
Коэффициент усиления по постоянному току 2000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.5V@1A,1mA
Ток отсечки коллектора 10uA
Напряжение эмиттер–база VEBO 8V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 2V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 100MHz

Описание

100V 2000 2A NPN TO-92L-3 одиночные биполярные транзисторы RoHS