GeneSiC Semiconductor GA05JT03-46
Артикул: C21935199
Part Number: GA05JT03-46
Производитель: GeneSiC Semiconductor
от 57.006200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 150.378700 ₽ |
| 200 шт. | 60.002300 ₽ |
| 400 шт. | 57.998300 ₽ |
| 1000 шт. | 57.006200 ₽ |
Характеристики
| Количество | - |
| Напряжение отсечки затвор–исток (VGS(off)) | - |
| Напряжение пробоя затвор–исток (Vgss) | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20W |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 240mΩ |
| Рабочая температура | -55℃~+225℃ |
| Ток стока (Idss) | 100nA |
| Входная ёмкость Ciss | 527pF |
| Проходная ёмкость (Crss) | - |
| Выходная ёмкость (Coss) | 24pF |
| Конфигурация | - |
| Тип полевого транзистора | - |
Описание
100nA 20W 240mΩ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) RoHS