Транзистор предварительное смещение 50V SOT-363
Артикул: C21714279
Part Number: MMUN5212DW
Производитель: CBI
от 0.015800 ₽
В наличии: 2940 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 20 шт. | 0.032500 ₽ |
| 200 шт. | 0.025300 ₽ |
| 600 шт. | 0.021300 ₽ |
| 3000 шт. | 0.019000 ₽ |
| 9000 шт. | 0.016900 ₽ |
| 21000 шт. | 0.015800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 NPN (Pre-Biased) |
| Тип | NPN |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 60 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 200mV |
| Входной резистор | 28.6kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1.2 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 250mW поверхностный монтаж SOT-363