NPN кремний эпитаксиальный планарный цифровой транзистор
Артикул: C21714160
Part Number: DTC114YE
Производитель: CBI
от 0.009000 ₽
В наличии: 650 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 50 шт. | 0.018500 ₽ |
| 500 шт. | 0.014400 ₽ |
| 3000 шт. | 0.012100 ₽ |
| 6000 шт. | 0.010800 ₽ |
| 24000 шт. | 0.009600 ₽ |
| 51000 шт. | 0.009000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Тип | NPN |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 68 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.4V@1mA,300mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 300mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | 500nA |
Описание
50V 68 100mA 150mW 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) NPN SOT-523 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения