650-V GaN транзистор с встроенный драйвер затвора

650-V GaN транзистор с встроенный драйвер затвора

Артикул: C21547657 Part Number: CID12N65D(TOKMAS) Производитель: Tokmas
от 0.661700 ₽ В наличии: 582 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 1.192300 ₽
10 шт. 0.986000 ₽
30 шт. 0.873000 ₽
100 шт. 0.745200 ₽
500 шт. 0.687900 ₽
1000 шт. 0.661700 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 650V
Технология -
Непрерывный ток стока (Id) 11.5A
Рабочая температура -40℃~+125℃
Рассеиваемая мощность (Pd) -
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) -
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 138mΩ
Заряд затвора (Qg) -
Входная ёмкость (Ciss) -
Проходная ёмкость (Crss при Vds) -
Выходная ёмкость (Coss) 30pF

Описание

650V 11.5A 138mΩ 1 N-канальный N-канальный DFN-10(6x8) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS