Infineon IRG4PF50WPBF
Артикул: C213057
Part Number: IRG4PF50WPBF
Производитель: Infineon
от 16.376300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 19.679100 ₽ |
| 25 шт. | 16.376300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 900V |
| Ток коллектора (Ic) | 51A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.25V |
| Заряд затвора (Qg) | 160nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.3nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 200pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 45pF |
| Время задержки включения Td(on) | 29ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 110ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 190uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.06mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
200W 51A 900V TO-247AC-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS