100V NPN дарлингтона транзистор IN SOT23

100V NPN дарлингтона транзистор IN SOT23

Артикул: C211379 Part Number: FMMT634QTA Производитель: DIODES
от 0.679100 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.701900 ₽
10 шт. 0.692100 ₽
30 шт. 0.685600 ₽
100 шт. 0.679100 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 100V
Ток коллектора (Ic) 900mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 806mW
Рабочая температура -55℃~+150℃@(Tj)
Коэффициент усиления по постоянному току 20000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 960mV
Ток отсечки коллектора -
Напряжение эмиттер–база VEBO 16V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) 1.5V
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 1.33V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 140MHz

Описание

100V 20000 900mA NPN SOT-23 одиночные биполярные транзисторы RoHS