Цифровой транзистор (встроенный резисторы), PNP кремний поверхностный монтаж транзистор
Артикул: C20627169
Part Number: DTA114EE(MS)
Производитель: MSKSEMI
от 0.007500 ₽
В наличии: 1150 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 50 шт. | 0.015500 ₽ |
| 500 шт. | 0.012100 ₽ |
| 3000 шт. | 0.010200 ₽ |
| 6000 шт. | 0.009100 ₽ |
| 24000 шт. | 0.008100 ₽ |
| 51000 шт. | 0.007500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Тип | PNP |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@0.1mA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 13kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 150mW поверхностный монтаж SOT-523