Транзистор предварительное смещение 50V SOT-523
Артикул: C20616358
Part Number: DTC123JE
Производитель: HXY MOSFET
от 0.012200 ₽
В наличии: 8860 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 20 шт. | 0.023800 ₽ |
| 200 шт. | 0.019500 ₽ |
| 600 шт. | 0.017000 ₽ |
| 3000 шт. | 0.014200 ₽ |
| 9000 шт. | 0.012900 ₽ |
| 21000 шт. | 0.012200 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.1V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 2.2kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 26 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 150mW поверхностный монтаж SOT-523