Обратный-проводящий IGBT
Артикул: C20613158
Part Number: IHW40N65R6
Производитель: Infineon
от 1.417600 ₽
В наличии: 188 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.855200 ₽ |
| 10 шт. | 1.692900 ₽ |
| 30 шт. | 1.591300 ₽ |
| 90 шт. | 1.486400 ₽ |
| 480 шт. | 1.438900 ₽ |
| 960 шт. | 1.417600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 210W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 83A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.6V@40A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 159nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.2V@0.4mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.99nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 42pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 16pF |
| Время задержки включения Td(on) | 17ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 211ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.1mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 420uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 99ns |
Описание
210W 83A 650V TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS