650V ограничение поля IGBT
Артикул: C20613157
Part Number: MBQ40T65QESTH
Производитель: MagnaChip Semicon
от 0.829400 ₽
В наличии: 158 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.512500 ₽ |
| 10 шт. | 1.246500 ₽ |
| 30 шт. | 1.100300 ₽ |
| 90 шт. | 0.934500 ₽ |
| 450 шт. | 0.862200 ₽ |
| 900 шт. | 0.829400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 230W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.3V@40A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 60nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.5V@40mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.565nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 120pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 37pF |
| Время задержки включения Td(on) | 6ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 55ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 500uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 400uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 72ns |
Описание
230W 80A 650V FS (ограничение поля) TO-247 одиночные IGBT-транзисторы