Высокоскоростной С ограничением электрического поля траншейный IGBT
Артикул: C20611991
Part Number: MBQ40T120FESTH
Производитель: MagnaChip Semicon
от 2.584400 ₽
В наличии: 458 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.774200 ₽ |
| 10 шт. | 3.330100 ₽ |
| 30 шт. | 3.053100 ₽ |
| 90 шт. | 2.768000 ₽ |
| 450 шт. | 2.640200 ₽ |
| 900 шт. | 2.584400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 357W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.4V@40A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 341nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.5V@1mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 6.03nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 206pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 107pF |
| Время задержки включения Td(on) | 65ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 308ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.96mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 540uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 100ns |
Описание
357W 80A 1.2kV FS (ограничение поля) TO-247 одиночные IGBT-транзисторы