Транзистор предварительное смещение 50V SOT-363
Артикул: C20611976
Part Number: UMH3N
Производитель: HXY MOSFET
от 0.034800 ₽
В наличии: 4720 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.059400 ₽ |
| 100 шт. | 0.049500 ₽ |
| 300 шт. | 0.044500 ₽ |
| 3000 шт. | 0.039300 ₽ |
| 6000 шт. | 0.036300 ₽ |
| 9000 шт. | 0.034800 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 2 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 600 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 4.7kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | 0.5uA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 150mW поверхностный монтаж SOT-363