Транзистор PNP 100V 8A TO-252-2L
Артикул: C20611968
Part Number: MJD127T4G-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.093600 ₽
В наличии: 605 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.194500 ₽ |
| 50 шт. | 0.154000 ₽ |
| 150 шт. | 0.136700 ₽ |
| 500 шт. | 0.115000 ₽ |
| 2500 шт. | 0.099400 ₽ |
| 5000 шт. | 0.093600 ₽ |
Характеристики
| Тип | PNP |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 100V |
| Ток коллектора (Ic) | 8A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.5W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 1000;12000;100 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2V;4V |
| Ток отсечки коллектора | 10uA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | 4.5V |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
Описание
Биполярные транзисторы (BJT) транзистор PNP 100V 8A 1.5W поверхностный монтаж TO-252-2L