Кремний PNP дарлингтона мощность транзистор
Артикул: C20606863
Part Number: MJD127T4G-JSM
Производитель: JSMSEMI
от 0.085400 ₽
В наличии: 485 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.173300 ₽ |
| 50 шт. | 0.133100 ₽ |
| 150 шт. | 0.115800 ₽ |
| 500 шт. | 0.094400 ₽ |
| 2500 шт. | 0.091200 ₽ |
| 5000 шт. | 0.085400 ₽ |
Характеристики
| Тип | PNP |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 100V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.75W |
| Ток коллектора (Ic) | 8A |
| Рабочая температура | - |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 1000 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 4V@8A,80mA |
| Ток отсечки коллектора | 10uA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | 4.5V |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | 2.8V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 4MHz |
Описание
100V 1000 8A PNP TO-252 одиночные биполярные транзисторы RoHS