YANGJIE DGW75N65CTS2A
Артикул: C20600438
Part Number: DGW75N65CTS2A
Производитель: YANGJIE
от 3.179400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.401200 ₽ |
| 10 шт. | 3.930000 ₽ |
| 36 шт. | 3.650600 ₽ |
| 108 шт. | 3.367900 ₽ |
| 360 шт. | 3.237900 ₽ |
| 1080 шт. | 3.179400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 428W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 85A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.75V@75A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 180nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 3.2V@0.75mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 4.75nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 40pF |
| Время задержки включения Td(on) | 32ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 121ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 3.12mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.11mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 160ns |
Описание
428W 85A 650V TO-247 одиночные IGBT-транзисторы RoHS