YANGJIE DGW50N65CTH2A

YANGJIE DGW50N65CTH2A

Артикул: C20600434 Part Number: DGW50N65CTH2A Производитель: YANGJIE
от 2.105200 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 5.552100 ₽
195 шт. 2.215700 ₽
495 шт. 2.141500 ₽
1005 шт. 2.105200 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 283W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 650V
Ток коллектора (Ic) 50A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.6V
Заряд затвора (Qg) 140nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 4V
Входная ёмкость (Cies) 2.83nF
Выходная ёмкость (Coes) -
Проходная ёмкость (Cres) 20pF
Время задержки включения Td(on) 24ns
Время задержки выключения Td(off) 74ns
Энергия потерь при включении (Eon) 2.05mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 360uJ
Время обратного восстановления (trr) 148ns

Описание

283W 50A 650V TO-247 одиночные IGBT-транзисторы RoHS