YANGJIE DGW50N65BTH
Артикул: C20600432
Part Number: DGW50N65BTH
Производитель: YANGJIE
от 2.012800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.308200 ₽ |
| 195 шт. | 2.118800 ₽ |
| 495 шт. | 2.047600 ₽ |
| 1005 шт. | 2.012800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.95V |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.1V |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.07nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 830pF |
| Время задержки включения Td(on) | 17ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 167ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2.2mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 930uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 42ns |
Описание
300W 50A 650V TO-247 одиночные IGBT-транзисторы RoHS